Si2338DS-T1-GE3_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/5.8A 参数4：RDON/22.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
Si2338DS-T1-GE3 是一款N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，尤其适合于高密度电路设计。器件提供30V的最大漏源电压(VDSS)，具备强大的电流承载能力，可持续处理5.8A漏极电流(ID)，且在导通状态下具有极低的22mR导通电阻(RD(on))，有效提升了功率转换效率。此款MOS管广泛应用于开关电源、电机驱动、以及其他高功率电子设备中，助力实现高效能、低损耗的系统方案。
