SQ2348ES-T1_GE3_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/5.8A 参数4：RDON/22.0mR 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
SQ2348ES-T1_GE3 是一款N沟道MOSFET，采用经济实用的SOT-23封装，专为现代高效率电路设计。该器件具备30V的漏源电压(VDSS)，能够处理高达5.8A的连续漏极电流(ID)，并拥有出色的低导通电阻性能，仅为22mR(RD(on))。广泛应用于开关电源转换、电机驱动及多种高功率电子系统，这款MOS管凭借卓越的电流承载能力和高效能表现，成为您设计中的理想半导体元件。
