SQ2309ES-T1_GE3_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/2.0A 参数4：RDON/160.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
SQ2309ES-T1_GE3 是一款P沟道MOSFET，采用小巧的SOT-23封装，适应高密度电路板布局。器件提供60V的漏源耐压(VDSS)，并能在低导通电阻160mR(RD(on))下稳定传输2A漏极电流(ID)。适用于电池保护、负载开关、电源管理等领域，此款MOS管以其出色的电压承受能力和高效的电流控制性能，为您的电路设计带来更高的灵活性与可靠性。
