SI2309CDS-T1-GE3_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/2.0A 参数4：RDON/160.0mR 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
SI2309CDS-T1-GE3 是一款P沟道MOSFET，采用小巧的SOT-23封装，适用于空间紧凑的高效电路设计。该器件具备60V的漏源电压额定值(VDSS)，能在160mR(RD(on))的导通电阻下稳定传递2A漏极电流(ID)。广泛应用于电源管理、电池保护电路、负载开关等场景，凭借其出色的电压耐受力与良好的电流控制特性，成为您提升系统效能和可靠性的理想半导体组件。
