FDN5618P_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/2.0A 参数4：RDON/160.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
FDN5618P 是一款P沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，适用于空间有限的设计项目。该器件提供高达60V的漏源电压(VDSS)，能够支持2A的连续漏极电流(ID)，并且具备160mΩ的导通电阻(RD(on))，在低电压应用中展现卓越性能。广泛应用于电源开关、负载切换、逻辑电平转换等功能模块，是您构建高效、可靠电路的理想选择。
