PMV213SN_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/100.0V 参数3：ID/2.0A 参数4：RDON/220.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
PMV213SN N沟道MOS管采用紧凑型SOT-23封装，提供出色的封装密度和热性能。该器件具有100V的高耐压VDSS，可稳定处理2A的漏极电流ID，适合于低压大电流应用。其导通电阻RD(on)为220mΩ，确保了较低的传导损耗和较高的能效转化率。这款MOS管广泛应用于电源开关、负载驱动、电池保护等领域，是兼顾尺寸、性能和可靠性的理想半导体元件选择。
