VN2110_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/100.0V 参数3：ID/0.2A 参数4：RDON/2800.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
VN2110 N沟道MOS管采用小型SOT-23封装形式，具有优良的焊接性和空间利用率。该器件额定电压VDSS高达100V，适用于高压小电流应用环境，可提供0.2A的稳定漏极电流ID。其导通电阻RD(on)为2800mΩ，尽管数值较大，但依旧适用于某些需要精细控制和低功率消耗的场景，如信号切换、电源管理或逻辑电平转换。VN2110 MOS管是适用于特定设计需求的理想半导体元件。
