SQ2362ES-T1_GE3_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/5.0A 参数4：RDON/42.0mR 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
SQ2362ES-T1_GE3 是一款N沟道MOSFET，采用小型化SOT-23封装，专为紧凑型和便携式电子设备设计。器件可在60V的最大漏源电压(VDSS)下，提供稳定的5A漏极电流(ID)，特别适用于对空间和功率有一定要求的应用场景。其导通电阻仅为42mΩ，有助于提升系统能效并降低能耗。广泛应用于电源转换、负载开关等小型电路中，是高集成度和高性能电子设计的理想选择。
