Si2342DS-T1-GE3_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/7.0A 参数4：RDON/15.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
Si2342DS-T1-GE3 是一款高品质N沟道MOS管，采用节省空间的SOT-23封装，特别适合现代紧凑型电路设计需求。其关键特性包括额定电压VDSS高达20V，能够承载高达7A的连续电流，展现强劲的电力驱动能力。更值得一提的是，器件的导通电阻RD(on)低至15mΩ，确保在工作状态下具有极低的能量损耗与高效的能效表现，是您优化系统性能、提高能源利用率的绝佳选择。
