ZXMN2F30FH_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装:SOT-23 类别:场效应管(MOSFET) 最小包装:3000圆盘 参数1:N沟道 参数2:VDSS/20.0V 参数3:ID/2.8A 参数4:RDON/37.0mR 标价:欢迎咨询
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产品介绍
ZXMN2F30FH 是一款N沟道MOSFET,采用小型SOT-23封装,专为紧凑型电子设计打造。其关键参数包括最大漏源电压VDSS为20V,能安全处理高达2.8A的连续漏极电流ID,且导通电阻RD(on)仅为37mR,确保了在导通状态下的低功耗和高效率。这款MOS管广泛应用在低压开关电路、电源管理、电池保护以及各类便携式智能设备的内部电路中,提供稳定可靠的开关性能。