IRLML6402GPBF_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/4.2A 参数4：RDON/48.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
IRLML6402GPBF 是一款高性能P沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，专为高效能、低功耗应用设计。其核心特性包括最高工作电压VDSS为20V，能够处理高达4.2A的连续漏极电流，凸显卓越的电力管理性能。器件亮点是其超低的导通电阻RD(on)仅为48mR，有效节省能源并提升系统效率。得益于其出色的开关速度、高电流承载能力和稳定的运行表现，IRLML6402GPBF MOS管广泛应用在电源转换、电池保护、便携式电子设备等诸多领域，是您电路设计的理想半导体元件。
