DMN53D0LQ_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/50.0V 参数3：ID/0.2A 参数4：RDON/1100.0mR 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
DMN53D0LQ N沟道MOSFET采用经典SOT-23封装，适合各类常规电子电路设计。器件拥有50V的最大工作电压（VDSS），并可在低功耗模式下提供0.2A的连续漏极电流（ID）。其导通电阻为1100mR（RD(on)），适用于低至中等电流水平的应用场景。这款MOS管是电源管理、逻辑电平转换及小型电子设备的理想选择，具备可靠性和能效兼顾的特点。
