DMN5L06K_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/50.0V 参数3：ID/0.2A 参数4：RDON/1100.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
DMN5L06K N沟道MOSFET采用小型化SOT-23封装，为您的电子设计提供灵活便捷的选择。这款器件具备50V的额定电压（VDSS），并且能够在低功耗状态下稳定流通0.2A的漏极电流（ID）。其导通电阻为1100mR（RD(on)），特别适合应用于低电流控制和功率转换场景。无论是电源管理、逻辑门电路还是小型消费电子产品，DMN5L06K MOS管都能以其可靠的性能和高效的能效为您提供优质解决方案。
