Si2301DS_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/2.3A 参数4：RDON/95.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
型号Si2301DS 的P沟道MOS管采用小型SOT-23封装，特别适用于对空间要求严苛的电子设计项目。该器件具有卓越的电气性能，最大工作电压VDSS为20V，连续电流ID高达2.3A，适用于中低电压大电流应用。其导通电阻RD(on)仅为95mR，有效降低功率损耗，提高系统效率。广泛应用于电源管理、负载开关、逻辑电平转换等领域，是工程师设计高效、低耗能电路的理想组件。
