2N7002E-T1-E3_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/0.3A 参数4：RDON/1000.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
2N7002E-T1-E3 N沟道MOS管采用小巧的SOT-23封装，特别适合空间有限的设计项目。该器件支持高达60V的漏源电压(VDSS)，并能提供0.3A的连续漏极电流(ID)，适用于低至中等电流级别的应用。其导通电阻RD(on)为1000mR，尽管相对较高，但在微小电流传输或信号控制方面表现出色。广泛应用于电源管理、逻辑电平转换、低功率电路控制等领域，是微型化电子产品的理想选择。
