DMN67D8L_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/0.3A 参数4：RDON/1000.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
DMN67D8L 是一款高品质N沟道MOSFET，采用节省空间的SOT-23封装形式，适合高密度电路板设计。该器件提供60V的电压耐受能力（VDSS），并可承载0.3A的连续漏极电流(ID)，且具有优异的导电效率，导通电阻低至1000mR，有助于减少能量损耗并优化系统效能。广泛应用于电源转换、电子负载控制以及其他要求严苛的开关电路中，是您优化电路设计的理想之选。
