2N7002K-T1-GE3_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/0.3A 参数4：RDON/1000.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
2N7002K-T1-GE3 是一款高性能N沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，特别适合于紧凑型电子设计。它能在60V的电压下稳定工作（VDSS），并支持0.3A的最大连续漏极电流（ID）。关键优势在于其超低的导通电阻RD(on)仅为1000mR，有效减少能量损耗，提升系统效率。广泛应用在电源转换、负载开关以及低电压、小电流的逻辑电平转换等领域，是工程师们的理想组件之一。
