DMN65D8LQ_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/0.3A 参数4：RDON/1000.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
DMN65D8LQ 是一款高性能N沟道MOSFET，采用微型SOT-23封装，专为现代紧凑型电子设备设计。器件具备60V的高耐压（VDSS），可承载0.3A的连续漏极电流（ID），且其优越的导通性能体现在低至1000mR的导通电阻（RD(on)）上，有效降低能耗，提升系统效能。广泛应用于电源管理、负载开关、电机驱动等电路中，是实现高效、节能应用的理想半导体元件。
