BSH111BKR_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/0.3A 参数4：RDON/1000.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
BSH111BKR 是一款N沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，特别适用于紧凑型电子设计。该器件具有60V的漏源电压额定值(VDSS)，可承载0.3A的连续漏极电流(ID)，且因其卓越的导通性能，导通电阻低至1000mR，有效减少能源损耗，提升系统效率。广泛运用于电源转换、开关控制、电机驱动等各种电路中，是您实现低功耗、高性能设计的理想半导体元件。
