FDN308P_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/3.0A 参数4：RDON/60.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
FDN308P 是一款P沟道MOSFET，采用小型化SOT-23封装，专为高密度电子电路设计。其核心性能包括最大漏源电压(VDSS)为20V，能稳定输出3A漏极电流(ID)，同时具有较低的60mΩ导通电阻(RD(on))，在低电压、中等电流应用中表现出色。这款MOS管适用于电源管理、负载开关控制、逻辑电平转换等功能场景，是优化系统效能和缩小产品体积的理想半导体元件。
