DMN2056U_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/6.0A 参数4：RDON/22.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
DMN2056U 是一款高性能N沟道MOSFET，采用小巧的SOT-23封装，专为高功率密度电路设计。器件具备20V的最大漏源电压(VDSS)，可承载高达6A的连续漏极电流(ID)，且具有出色的22mΩ导通电阻(RD(on))，确保了更低的功率损耗和更高的能源效率。广泛应用于电源转换、负载开关、电池管理系统等领域，是实现小型化、节能电子解决方案的理想半导体组件。
