DMN2058U_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/6.0A 参数4：RDON/22.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
DMN2058U 是一款高性能N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为高效能电子设备设计。该器件提供20V的最大漏源电压(VDSS)，可稳定处理高达6A的漏极电流(ID)，且具备出色的低导通电阻22mΩ(RD(on))，确保了卓越的能效表现和低功耗。广泛应用在电源管理、电池保护、开关调节等场景中，是实现小型化、高效率电路设计的理想半导体元件。
