Si2312CDS-T1-GE3_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/6.0A 参数4：RDON/22.0mR 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
Si2312CDS-T1-GE3 是一款高性价比N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，特别适用于空间受限且需高效能的电子设计。器件支持最大20V的漏源电压(VDSS)，并能稳定提供6A的漏极电流(ID)，同时拥有低至22mΩ的导通电阻(RD(on))，确保了优秀的电能转换效率和低功耗。广泛应用于电源管理、负载开关、马达驱动等场景，是小型化、节能型电子设备的理想半导体元件。
