DMN2046U_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/6.0A 参数4：RDON/14.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
DMN2046U 型号MOS管采用小型SOT-23封装，内部集成高效N沟道技术，专为优化电路性能打造。该器件支持高达20V的漏源电压(VDSS)，并能在满载条件下稳定提供6A的连续漏极电流(ID)，适应中小功率应用场景。凭借14mR的低导通电阻(RD(on))，它能有效降低能耗，提高系统效率。广泛应用于电源转换、负载开关控制及各类低压电子设备的开关电路设计，是您提升产品性能的理想半导体器件。
