DMN3042L_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/5.8A 参数4：RDON/28.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
DMN3042L 是一款高性能N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，为高功率密度设计提供理想解决方案。器件具有30V的漏源电压耐受值(VDSS)，并能在正常工作状态下承载高达5.8A的漏极电流(ID)，同时，得益于其低至28mR的导通电阻(RD(on))，实现了卓越的能效表现。此款MOS管广泛应用于开关电源、电机驱动及其它高电流、高效能的电子系统中，是您提升系统性能和节能效率的理想之选。
