Si2300DS-T1-GE3_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/6.0A 参数4：RDON/22.0mR 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
Si2300DS-T1-GE3 是一款N沟道MOSFET，采用精巧的SOT-23封装，专为紧凑型电路设计。器件支持20V的最大漏源电压(VDSS)，并能稳定处理6A的连续漏极电流(ID)，体现卓越的电流承载力。其导通电阻(RD(on))仅有22mΩ，有效减少功率损耗，提高能效表现。广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等领域，是您追求高集成度与低功耗半导体解决方案的理想选择。
