Si2302CDS-T1-E3_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/2.3A 参数4：RDON/48.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
Si2302CDS-T1-E3 型号MOS管，采用小巧SOT-23封装，内含高性能N沟道技术，专为高效率电路设计。器件具有20V的漏源电压(VDSS)，能够承载高达2.3A的连续漏极电流(ID)，适用于多种中小功率应用场合。其导通电阻仅为48mR(RD(on))，确保了较低的功率损耗和较高的系统效能。广泛应用于电源管理、负载开关及低压开关电路中，是您提升电子设备性能的理想半导体组件。
