Si2302ADS_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/2.3A 参数4：RDON/48.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
Si2302ADS 型号MOS管采用了紧凑型SOT-23封装，搭载高效N沟道技术，适于各类精密电子设计。此器件具备20V的漏源击穿电压(VDSS)，可稳定承载高达2.3A的连续漏极电流(ID)，在中小功率应用中表现出色。其48mR的低导通电阻(RD(on))意味着更低的能量损耗和更高的电路效率。广泛应用于电源转换、负载开关控制和其他低压开关电路，是提升系统性能与节能效果的理想选择。
