Si2302CDS-T1-GE3_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/2.3A 参数4：RDON/48.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
Si2302CDS-T1-GE3 型号MOS管采用微型SOT-23封装，内置先进N沟道技术，专为优化电路效率而生。该器件工作在20V的漏源电压(VDSS)下，可承载最大2.3A的连续漏极电流(ID)，适合于中小功率应用场合。尤为突出的是其48mR的低导通电阻(RD(on))，有效减少功率损耗，提升系统效能。广泛应用于电源转换、负载开关控制及低压电子设备的开关电路中，是您提升产品性能与节能效果的理想半导体元件选择。
