Si2302DDS-T1-GE3_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/2.3A 参数4：RDON/48.0mR 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
Si2302DDS-T1-GE3 型号MOS管采用紧凑型SOT-23封装，内含尖端N沟道技术，专为优化电路性能设计。器件支持20V的漏源电压(VDSS)，可稳定处理2.3A的连续漏极电流(ID)，适用各类中小功率应用。其导通电阻仅为48mR(RD(on))，确保了低功耗和高效率运作。广泛应用于电源管理、负载开关及低压电子设备的开关控制，是提升产品能效比和可靠性的重要半导体组件。
