ZXMN2F34FH_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/2.3A 参数4：RDON/48.0mR 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
ZXMN2F34FH 型号MOS管采用小型SOT-23封装，内嵌高效N沟道技术，专为提升电路性能设计。该器件具有20V的漏源电压(VDSS)，可稳定承载2.3A的连续漏极电流(ID)，适用于各种中小功率应用场合。其独特的48mR低导通电阻(RD(on))，有效降低功率损耗，增强系统效率。广泛应用于电源转换、负载切换控制以及各类低压电子设备的开关电路中，是您提升产品能效的理想半导体元件。
