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MGSF1N02LT1_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装:SOT-23 类别:场效应管(MOSFET) 最小包装:3000圆盘 参数1:N沟道 参数2:VDSS/20.0V 参数3:ID/2.3A 参数4:RDON/48.0mR 标价:欢迎咨询

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产品介绍

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MGSF1N02LT1 型号MOS管采用SOT-23小型封装,集成高效N沟道技术,专为优化电路效率而研发。该器件支持高达20V的漏源电压(VDSS),能稳定处理2.3A的连续漏极电流(ID),适用于各种中小功率应用场合。其48mR的低导通电阻(RD(on))显著减少了功率损耗,提升了整体系统的效能表现。广泛应用于电源转换、负载开关以及低压电子设备的开关控制电路中,是您追求高能效与稳定性半导体解决方案的理想之选。



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