ZXMN2B01F_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/2.3A 参数4：RDON/48.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
ZXMN2B01F MOS管是一款高性能N沟道器件，采用紧凑型SOT-23封装，适用于空间有限的设计方案。该元件具有出色的电气性能，额定电压VDSS高达20V，最大连续漏极电流ID为2.3A，能在高压环境下稳定工作并提供强大的电流驱动能力。尤其值得一提的是，其导通电阻RD(on)低至48mR，有助于减少功率损耗，提高电路整体效率，广泛应用于开关电源、马达驱动及各类高效率电子设备中。
