DMN2230U_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/2.3A 参数4：RDON/48.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
DMN2230U MOS管是一款高品质N沟道MOSFET，采用小型化SOT-23封装设计，特别适合于紧凑型电路板布局。器件的核心参数优越，拥有20V的最大漏源电压VDSS，以及2.3A的连续漏极电流ID，保证在高电压下仍能实现大电流稳定传输。此外，该MOS管具备超低的导通电阻RD(on)仅48mR，大大降低了功耗，提高了能源利用率，是电源转换、马达控制和其他高效能电子应用的理想之选。
