MGSF2N02EL_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/2.3A 参数4：RDON/48.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
MGSF2N02EL 是一款高效能N沟道MOS管，采用节省空间的SOT-23封装形式，特别适用于紧凑型电路设计。该器件拥有稳定的20V漏源电压VDSS，最大连续漏极电流可达2.3A，确保在高压环境下也能提供卓越的电流承载能力。尤为突出的是其低至48mR的导通电阻RD(on)，有效减少能量损失，提升系统效能，广泛应用于开关电源、马达驱动及各类追求高效率的电子设备设计中。
