ZXMN2A01F_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/2.3A 参数4：RDON/48.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
ZXMN2A01F 是一款N沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，适用于各类紧凑型电子设备设计。该器件具有20V的最大漏源电压(VDSS)，能够提供2.3A的稳定漏极电流(ID)，并且具有48mΩ的导通电阻(RD(on))，在小体积内实现了良好的电流控制与低功耗性能。此款MOS管常见于电源管理、负载开关、电机驱动等应用场合，是现代电子设备中不可或缺的高效能半导体元件。
