Si2343DS-T1-E3_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/4.1A 参数4：RDON/48.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
Si2343DS-T1-E3 是一款高性能P沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，专为高效能和低功耗电路设计。该器件支持高达30V的漏源电压(VDSS)，能承载最大4.1A的连续漏极电流(ID)，且具备48mΩ的导通电阻(RD(on))，确保了卓越的能效和可靠性。广泛应用于电源转换、负载开关、电池管理系统等领域，是构建紧凑、节能型电子设备的理想半导体元件。
