Si2343DS-T1-GE3_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/4.1A 参数4：RDON/48.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
Si2343DS-T1-GE3 是一款高品质P沟道MOSFET，采用小型化SOT-23封装，专为高集成度和节能电子应用设计。该器件具备30V的最大漏源电压(VDSS)，能够稳定承载4.1A的漏极电流(ID)，并具有48mΩ的导通电阻(RD(on))，确保了出色的电能转换效率和低功耗表现。广泛应用于电源管理、负载开关、电池保护等场景，是实现小型化、高性能电子解决方案的理想半导体组件。
