KMB3D0P30SA_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装:SOT-23 类别:场效应管(MOSFET) 最小包装:3000圆盘 参数1:P沟道 参数2:VDSS/30.0V 参数3:ID/4.1A 参数4:RDON/48.0mR 标价:欢迎咨询
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产品介绍
KMB3D0P30SA MOS管是一款高性能P沟道MOSFET,采用紧凑型SOT-23封装,适用于空间受限的设计。工作电压高达30V,具备4.1A的强大电流处理能力,满足中高功率应用需求。其导通电阻低至48mR,确保在大电流条件下仍能保持较高的能效。广泛应用于电源开关、电池保护电路及各类负载驱动系统,是工程师实现精准电流控制的理想半导体元件。