Si2307BDS-T1-GE3_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/4.1A 参数4：RDON/48.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
Si2307BDS-T1-GE3 MOS管是一款采用SOT-23封装的高性能P沟道MOSFET，专为紧凑型电子设计打造。该器件具有30V的高额定电压VDSS和高达4.1A的连续电流ID，能够在中高功率应用中展现稳定性能。其导通电阻低至48mR，有效提高能源利用效率。广泛应用于电源管理、电池保护电路以及各类负载驱动场合，是实现高能效系统控制的理想半导体元件。
