Si2307CDS-T1-E3_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/4.1A 参数4：RDON/48.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
Si2307CDS-T1-E3 是一款高性能P沟道MOSFET，采用小巧的SOT-23封装，适应各类空间紧凑的电子设计需求。该器件具有30V的高工作电压VDSS，支持4.1A的连续电流ID，同时具备出色的48mR导通电阻，有效提升系统能效，降低功耗。广泛应用于电源管理、电池保护电路以及各类负载驱动场合，是您优化电路设计的理想选择。
