Si2307CDS-T1-GE3_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/4.1A 参数4：RDON/48.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
Si2307CDS-T1-GE3 是一款P沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为高效能电子设计。该器件工作电压VDSS高达30V，可承载4.1A连续电流，且拥有低至48mR的导通电阻，有效提高系统能效，降低能耗。适用于电源开关控制、电池保护和各类中等电流负载驱动应用，是工程师设计高集成度、低功耗方案的理想半导体元件。
