Si2303CDS-T1-GE3_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/4.1A 参数4：RDON/48.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
Si2303CDS-T1-GE3 是一款高效P沟道MOSFET，采用小巧的SOT-23封装，便于在紧凑型电路设计中灵活使用。器件亮点在于拥有30V的最大漏源电压(VDSS)，可稳定承载4.1A漏极电流(ID)，同时具备48mΩ的导通电阻(RD(on))，确保在低损耗状态下实现高效能运作。此款MOS管广泛应用于电源管理、负载开关、电机驱动等各种场景，是您提升系统性能和节能效果的理想选择。
