SQ2303ES-T1_GE3_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/4.1A 参数4：RDON/48.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
SQ2303ES-T1_GE3 MOS管是一款高性能P沟道半导体器件，采用精巧的SOT-23封装工艺，适用于对空间要求严苛的应用环境。器件特性优越，额定电压高达30V，连续电流承载能力达到4.1A，尤为突出的是仅48mΩ的导通电阻，有效保证了系统的高效能与低功耗。广泛应用在电源转换、负载切换、电池管理及各类智能电子设备中，助力工程师实现高集成度与卓越性能的设计方案。
