Si2306BDS-T1-GE3_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/4.0A 参数4：RDON/29.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
Si2306BDS-T1-GE3 是一款N沟道MOSFET，采用轻巧的SOT-23封装，专为高集成度电路设计。器件提供30V的最大漏源电压(VDSS)，并可承载4A的连续漏极电流(ID)，确保稳定可靠的功率传输。其导通电阻(RD(on))仅为29mΩ，显著降低系统功耗，提升整体能效。这款MOS管凭借优秀的电气性能，广泛应用于电源转换、负载开关、马达驱动等多种电子设备中，是紧凑且高效能半导体解决方案的理想选择。
