Si2316BDS-T1-GE3_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/4.0A 参数4：RDON/29.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
Si2316BDS-T1-GE3 是一款高效能N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为现代微小化电子设计。其关键特性包括30V的最大漏源电压(VDSS)，能承载4A连续漏极电流(ID)，确保强大的电流处理能力。导通电阻(RD(on))仅为29mΩ，有效减少功耗，提升系统能效比。这款MOS管广泛应用在电源转换、负载开关、电机驱动等场景，以卓越的性能与稳定性成为高集成度、低功耗解决方案的理想组件。
