Si2316DS-T1-E3_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/4.0A 参数4：RDON/29.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
Si2316DS-T1-E3 是一款采用先进N沟道技术的MOS管，封装小巧的SOT-23，尤其适合空间受限的设计需求。其电气特性出色，具备30V的最大漏源电压(VDSS)，并能承受4A的连续漏极电流(ID)，确保了强大的电流处理性能。而29mΩ的导通电阻(RD(on))使得器件在工作状态下功耗更低，提升整体能效。这款MOS管广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等场景，是高效、节能半导体解决方案的理想之选。
