Si2304DDS-T1-GE3_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/4.0A 参数4：RDON/29.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
Si2304DDS-T1-GE3 是一款高效能N沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，适合空间有限的电路设计。该器件提供了30V的最大漏源电压(VDSS)，并可支持4A连续漏极电流(ID)，确保出色的电流处理性能。其导通电阻(RD(on))低至29mΩ，有效减小功耗，提升系统效率。广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等多种场景，是您的高集成度、节能型半导体解决方案的理想选择。
