Si2304BDS-T1-E3_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/4.0A 参数4：RDON/29.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
Si2304BDS-T1-E3 是一款N沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，专为紧凑型电路设计提供高效能解决方案。器件具备30V的最大漏源电压(VDSS)，并能承载4A的连续漏极电流(ID)，确保强大的电流处理能力。其导通电阻(RD(on))仅为29mΩ，有效降低系统功耗，提升能效表现。广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等场景，是理想的高集成度、低电阻半导体组件。
