Si2304BDS-T1-GE3_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/4.0A 参数4：RDON/29.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
Si2304BDS-T1-GE3 是一款高性能N沟道MOSFET，采用SOT-23封装，专为紧凑型电子设备设计。器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)和4A连续漏极电流(ID)，提供强大的电流处理能力。其低至29mΩ的导通电阻(RD(on))，有利于降低系统功耗并提高能效。适用于电源转换、电机驱动、负载开关等多种应用场合，是追求高集成度与节能效果的理想半导体组件。
